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行政副校長室 - 行政副校長簡介 About Administrative Vice President

劉清如 副校長

 

  1. 學歷:國立成功大學電機工程研究所 博士

  2. 現職:
    南榮科技大學工程科技研究所副教授兼行政副校長

  3. E-mail:liucr@mail.nju.edu.tw

  4. 經歷:
    南榮科技大學 教務長
    南榮技術學院 工程科技研究所副教授
    南榮技術學院 電子工程系助理教授
    南榮技術學院 電機工程科講師

  5. 專長:
    1. 半導體元件物理
    2. 半導體工程
    3. 非晶矽元件

  6. 論文:
    1. Jong-Tse Lee,Ching-Ju Liu,Chia-Mei Yang, Fang-Chuan, ”Smart Mobile Tour System Using QR Code and Augmented Reality”, International Conference on Information and Technology ,pp.136-144, Tainan, Taiwan, 2015.

    2. 劉清如、呂芳川、楊嘉美,” 玉井北門山水行智慧行動旅遊導覽建置之研究”,現代工程科技研討會,pp.326-331 , Tainan, Taiwan, 2015。

    3. 劉清如、呂芳川、黃耀聰,” 健康樂活話職棒數位風華”, 異文化交流國際學術研討會,pp.674-685 , Tainan, Taiwan, 2014。

    4. 劉清如、呂芳川、吳明吉,”簡易互動智慧校園導覽系統建置之研究”,商業與管理學術研討會,Tainan, Taiwan, May 2013。

    5. 劉清如、呂芳川、陳成煌, ”左鎮白堊知性文化數位創作之研究”,異文化交流國際學術研討會,pp.281-293 , Tainan, Taiwan, May 2013。
    6. 黃光暉、劉清如、郭力維、謝永明,“以射頻濺鍍法研製高介電TiO2薄膜及其電性之研究”, 2012海峽兩岸現代工程科技應用研討會, Tainan, Taiwan, May 2012。

    7. 黃光暉、劉清如、吳崇維、陳永棣、沈家豪、陳怡雯,” 以射頻濺鍍法研製高介電HfO2薄膜及其電性之研究”, 2012電子工程技術研討會,義守大學, 高雄 2012。

    8. 劉清如,蔡仲森, 凃豐洲, “入料設備之入料機機體失效分析與改善對策”, 2011峽兩岸現代工程科技應用研討會(Across the Taiwan Straits Conference on Application of Modern Engineering Technologies 2011, p.27-30 Tainan, Taiwan, May 2011。

    9. 劉清如,黃政霖, 邵子彧, 潘子豪, “以RF電漿濺鍍系統研製高介電TiO2 薄膜及其電性之研究”, 2010海峽兩岸現代工程科技應用研討會(Across the Taiwan Straits Conference on Application of Modern Engineering Technologies 2010), p.27-30 Tainan, Taiwan, May 2010.

    10. 劉清如, 王思尊, 陳祈宏, 鄭慶煌, “以RF電漿濺鍍系統研製高介電TiO2 薄膜電容”, 2008海峽兩岸現代電機科技學術研討會(Across the Taiwan Straits Conference on Modern Electrical Engineering Technologies 2008), p.151-155 Tainan, Taiwan, February 2008.

    11. 劉清如,黃安笛, 陳至心,黃仲翊,” 以RF電漿濺鍍系統研製高介電Ta2O5 MIM電容”,2008 電子工程技術研討會, BP-02, 義守大學, June 2008.劉清如,”高介電氧化鋁MIM電容之研究”,南榮學報,第八期,A4-1~7,2004

    12. 劉清如,”An experimental study of proposed vertical-type amorphous-silicon thin film transistor”,南榮學報,復刊號第四期,p.65-p.70,2000.

    13. 劉清如,”以脈衝式直流濺鍍系統研製透明導電薄膜”,南榮學報,復刊號第五期,p.9-p.14,2001.

    14. Y.K.Fang, C.R.Liu, and K.H.Chen,”A Low Cost and High Current Gain a-Si/c-Si Heterojunction Photo-receiver for Large Area Opto-electron Integrated Circuit Applications”, IEEE Electron Device Letters, Vol.16, pp.190, 1995.

    15. C.J.Liu, Y.K.Fang, K.H.Chen, and J.D.Hwang,”A Novel Amorphous Silicon Doping Superlattice Device with a Controllable Gate,” Japan J. Appl. Phys., Vol . 33, No.4A, pp.497-499, 1994.

    16. C.J.liu, Y.K.Fang, J.D.Hwang, and K.H.Chen,”A Novel Amorphous Silicon Doping Superlattice Device with Double Switching Characteristics for Multiple-valued Logic Applications,” IEEE Electron Device Letters, Vol.14, No.8, p.391-393, 1993.

    17. C.J.Liu, Y.K.Fang, and J.D.Hwang,”Novel Amorphous Silicon Doping Superlattice Device with Bidirectional S-shaped Negative Differential Characteristics,” Appl. Phys. Lett., Vol.63, No2., p.177-179, 1993.

    18. Y.K.Fang, C.J.Liu, K.H.Chen, and J.D.Hwang,”A Silicon Double Switching Inversion-controlled Switch for Multiple-Valued Logic Applications,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.40, No.5, p.918-p.922, 1993.

    19. Y.K.Fang, C.J.Liu, K.H.Chen, and S.B.Hwang,”Gate turn off capability of insulated metal/amorphous Si/crystalline Si (p-n) switching device,” Appl. Phys.Lett., Vol.59, No.15, p.1849-p.1852, 1991.

    20. Y.K.Fang, K.H.Chen, K.S.Wu, C.J.Liu, and J.D.Hwang,”An amorphous silicon/silicon-carbide double structure with 2.66 peak to valley current ratio negative resistance,” Journal of Applied Physics, Vol.72, No.72, No.3, p.1178-p.1179, 1992.

    21. K.H.Chen, Y.K.Fang, C.J.Liu, J.D.Hwang, and K.S.Wu,”High Current Density in Amorphous Silicon/Silicon-carbide Double-barrier Resonant Tunneling Device on Aluminum/Silicon Substrate,” Japan J.Appl.Phys., Vol.32, No.6, pp.L761-L763, 1993.

    22. K.H.Chen,Y.K.Fang, C.J.Liu, and J.D.Hwang,”Amorphous Silicon Double-injection Device with Gate-Controllable N-Type Negation Resistance,” Japan J. Appl. Phys., Vol.33, No.9A, pp.4518-pp.4522, 1994.

    23. Y.K.Fang, S.B.Hwang, K.H.Chen, C.J.Liu, M.J.Tsai, and L.C.Kuo,” An Amorphous SiC/Si Heterojunction p-i-n Diode for Low-Noise and High-Sensitivity UV Detector,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.39, No.2, p.292-p.296, 1992.

    24. S.B.Hwang, Y.K.Fang, K.H.Chen , C.J.Liu, J.D.Hwang, and M.H.Chou,” An a-Si:H/a-Si,Ge:H Bulk Barrier Phototransistor with a-SiC:H Barrier Enhancement Layer for High-Gain IR Optical Detector,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.40, No.4, p.721-p.726,1993.

    25. Y.K.Fang, S.B.Hwang, K.H.Chen, C.J.Liu, and L.C.Kuo,” A Metal-Amorphous Silicon-Germanium Alloy Schottky Barrier for Infrared Optoelectronic IC on Glass Substrate Application,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.39, No.6, p.1350-p.1354, 1992.

    26. Y.K.Fang, K.H.Chen, S.B.Hwang, S.J.Wu, and C.J.Liu,” Deposition of High Tc Superconductor Thin Film on Silicon Substrate by Rapid Thermal Annealing with aTiN/Ti/Ag buffer Layer,” Thin Solid Films, Vol.208, p.228, 1992.

  7. 專利:
    以非晶矽光二極體與單晶矽電晶體異質接面接合而之光吸收器及製造方法

  8. 研究計畫:
    1. 「科普活動:雲端飆速、3D列印與大自然物理化學現象的親身體驗」計畫,104年6月1日至105年5月31日,共同主持人,計畫經費79.5萬元,科技部。

    2. 南榮科技大學「新手就學、高手就業」計畫,104年1月1日至104年12月31日,主持人,計畫經費880萬元,教育部。

    3. 南榮科技大學「優化外語能力計畫」計畫,104年1月1日至104年12月31日,主持人,計畫經費 50萬元,教育部。

    4. 南榮科技大學「英文樂學善用」計畫,103年4月1日至103年12月15日,主持人,計畫經費37.5萬元,教育部。

    5. 提升學生就業力計畫,103年1月1日至103年12月31日,主持人,計畫經費825萬元,教育部。

    6. 南榮科技大學「英文樂學」計畫,102年2月26日至102年12月15日,主持人,計畫經費80萬元,教育部。

    7. 提升學生就業力計畫,102年1月1日至102年12月31日,主持人,計畫經費825萬元,教育部。

    8. 提升學生就業力計畫,100年7月1日至101年12月31日,主持人,計畫經費1025萬元,教育部。

    9. 提昇實務教學品質計畫,99年1月1日至100年6月30日,主持人,教育部。

    10. 97年度教育部提升技專校院外語能力專案補助計畫,97年4月1日至97年12月31日,主持人,教育部。

    11. 97年度南榮技術學院重要領域人才培育計畫,98年2月1日至99年1月31日,主持人,教育部。

    12. 96年度南榮技術學院重要領域人才培育計畫,97年2月1日至98年1月31日,主持人,教育部。

    13. 95年度南榮技術學院重要領域人才培育計畫,96年2月1日至97年1月31日,主持人,教育部。

    14. 以射頻濺鍍系統研製高介電氧化鋁薄膜及其電性之研究 (95-2815-C-232-002-E) ,主持人,國科會。

    15. 高介電係數絕緣層的非晶矽MIS接面之研究(91-2815-C-232-001-E),主持人,國科會。

    16. 以方波電源的濺鍍系統研製IDIXO透明導電薄膜(NSC 89-2215-E-232-002),主持人,國科會。


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